《自然》雜志刊登英特爾和QuTech量子計算新進(jìn)展,“高溫量子”為量子實用性鋪路
公司已經(jīng)發(fā)明了一種自旋量子位制造流程,基于300毫米工藝技術(shù),使用的是這種同位素純晶圓(硅晶圓)。(圖片來源:Walden Kirsch/英特爾公司)點擊查看完整圖像
2020年4月15日——今天,英特爾與QuTech共同在《自然》雜志(Nature)上發(fā)表了一篇論文,證明了在高于1開氏度下,能夠成功控制“高溫”量子位(量子計算的基本單位)。該研究還重點論述了對兩個量子位的單獨相干控制,其單量子位保真度高達(dá)99.3%。這些突破突顯出對未來量子系統(tǒng)和硅自旋量子位進(jìn)行低溫控制的潛力,硅自旋量子位與單電子晶體管極為相似,可以集成在一個封裝內(nèi)。
英特爾研究院量子硬件總監(jiān)Jim Clarke表示:“這項研究代表我們對硅自旋量子位的研究取得了意義非凡的進(jìn)展,我們認(rèn)為硅自旋量子位是一個極具潛力的候選技術(shù),有望賦能商業(yè)規(guī)模級量子系統(tǒng),因為它們非常類似于英特爾已制造超過50年之久的晶體管。我們證明高溫量子可以在更高的溫度下工作,同時保持高保真度,這為在不會影響量子位性能的情況下,實現(xiàn)各種本地量子位控制選項鋪平了道路!
能否將量子計算應(yīng)用于實際問題中,取決于同時以高保真度擴(kuò)展和控制數(shù)千個(甚至是數(shù)百萬個)量子位的能力。然而,當(dāng)前的量子系統(tǒng)設(shè)計受限于整體系統(tǒng)尺寸、量子位保真度,尤其是大規(guī)模管理量子所需的控制電子器件的復(fù)雜程度。
在一個芯片上集成控制電子器件和自旋量子位,可以大大簡化兩者之間的互連。但是要實現(xiàn)這一目標(biāo),提高量子位的工作溫度至關(guān)重要。在此之前,量子計算機(jī)被證明只能在毫開爾文的溫度范圍內(nèi)工作——只比絕對零度高出零點幾度,F(xiàn)在,隨著對高溫量子的研究,QuTech與英特爾的合作已經(jīng)證明了一個假設(shè),即硅自旋量子位有可能在略高于當(dāng)前量子系統(tǒng)運行溫度中工作,從而向量子計算的可擴(kuò)展性邁出了一步。
利用硅自旋量子推進(jìn)量子計算,讓英特爾能夠利用在先進(jìn)封裝和互連技術(shù)方面的專業(yè)性,為實現(xiàn)量子實用性開辟一條可擴(kuò)展的道路。英特爾持續(xù)推進(jìn)全棧量子系統(tǒng)的發(fā)展,這項研究正是建立在此前的一系列工作之上,包括去年年底推出的首款Horse Ridge低溫量子控制芯片。
這一研究也實現(xiàn)了關(guān)鍵性能突破。一般來說,除非將量子位冷卻到接近絕對零度(-273攝氏度,或0開氏度),否則量子位中存儲的量子信息通常很快就會丟失。在《自然》雜志重點報道的研究中,英特爾和QuTech首次展現(xiàn)了如何運行較高溫度、較大密度且相干的量子位。這些密集的量子位能夠在相對較高的溫度下高質(zhì)量運行。
隨著這項研究的開展,研究人員同時證明,1開氏度以上溫度可以實現(xiàn)硅量子點的單量子位控制。但是直到此前,只有在40毫開氏度的低溫下,才能實現(xiàn)對兩個量子位的控制。英特爾與QuTech的合作研究展現(xiàn)了新的突破,在1.1開氏度下,可以運行量子電路中的完整雙量子位邏輯單元。
通過這項研究,英特爾和QuTech還證明了能夠控制雙量子位系統(tǒng)電子自旋的能力,并測量出單量子位保真度高達(dá)99.3%,且可對系統(tǒng)進(jìn)行精確調(diào)整。此外,研究團(tuán)隊還證明在45毫開氏度到1.25開氏度的溫度范圍內(nèi),自旋量子位的性能受影響最小。

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