GaN
氮化鎵（GaN）是一種具有較大禁帶寬度的半導(dǎo)體，屬于寬禁帶半導(dǎo)體之列。氮化鎵是微波功率晶體管的優(yōu)良材料，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，具有寬的直接帶隙、強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、化學(xué)穩(wěn)定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質(zhì)和強(qiáng)的抗輻照能力。
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第三代半導(dǎo)體材料GaN和SiC：國(guó)產(chǎn)應(yīng)用新布局
【嗶哥嗶特導(dǎo)讀】截至目前，第三代半導(dǎo)體材料的應(yīng)用已經(jīng)進(jìn)入人們的日常工作和生活當(dāng)中，特別是GaN和SiC。未來，除了PD快充和新能源汽車等熱門應(yīng)用市場(chǎng)，國(guó)產(chǎn)的GaN和SiC材料應(yīng)用將會(huì)有新的市場(chǎng)逐步出現(xiàn)
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GaN 氮化鎵市場(chǎng)調(diào)查：2021 年增長(zhǎng)率可達(dá) 90.6%
IT之家3月13日消息 TrendForce 集邦咨詢近日發(fā)布了 GaN 氮化鎵市場(chǎng)調(diào)查報(bào)告。報(bào)告顯示，盡管 2018 年至 2020 年以氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)受到貿(mào)易摩擦、疫情影響增長(zhǎng)受到
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