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12月23日，Vishay宣布推出最新第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET 器件－－－SiHH070N60EF。Vishay Siliconix n溝道SiHH070N60EF導(dǎo)通電阻比其前代器件低29 ％，為通信、工業(yè)、計(jì)算和企業(yè)級(jí)電源應(yīng)用提供高效解決方案，同時(shí)柵極電荷下降60 ％，從而使器件導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中600 V MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）創(chuàng)業(yè)界新低。

Vishay提供豐富的MOSFET技術(shù)支持各級(jí)功率轉(zhuǎn)換，涵蓋高壓輸入到低壓輸出的各種最新高科技系統(tǒng)。隨著SiHH070N60EF的推出，以及即將發(fā)布的第四代600V EF系列產(chǎn)品，Vishay可滿足電源系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計(jì)前兩個(gè)階段提高能效和功率密度的要求—包括圖騰柱無(wú)橋功率因數(shù)校正（PFC）和軟切換DC／DC轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

SiHH070N60EF基于Vishay最新高能效E系列超結(jié)技術(shù)，10 V條件下典型導(dǎo)通電阻僅為0．061Ω，超低柵極電荷降至50 nC。器件的FOM為3．1 Ω＊nC，比同類最接近的MOSFET低30 ％。這些參數(shù)表明導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗降低，從而節(jié)省能源。SiHH070N60EF有效輸出電容Co（er）和Co（tr）分別僅為90 pf和560 pF，可改善零電壓開(kāi)關(guān)（ZVS）拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)開(kāi)關(guān)性能，如LLC諧振轉(zhuǎn)換器。器件的Co（tr） 比同類緊隨其后的MOSFET低32 ％。

日前發(fā)布的器件采用PowerPAK 8x8封裝，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鹵素，耐受雪崩模式過(guò)壓瞬變，并保證極限值100 ％通過(guò)UIS測(cè)試。

3．艾邁斯半導(dǎo)體推出Nuheara新款智能耳塞，帶來(lái)更出色的聽(tīng)覺(jué)享受

12月21日，艾邁斯半導(dǎo)體宣布，其主動(dòng)降噪（ANC）芯片技術(shù)為Nuheara“全球先進(jìn)的耳塞”——新款I(lǐng)Qbuds2 MAX產(chǎn)品提供個(gè)性化的降噪。

Nuheara耳塞集出色的播放音質(zhì)與個(gè)性化的聽(tīng)覺(jué)增強(qiáng)特性于一體。這款零售價(jià)為379歐元的耳機(jī)為一些有輕度聽(tīng)力障礙但暫時(shí)不想使用助聽(tīng)器，同時(shí)又希望獲得出色聆聽(tīng)體驗(yàn)的消費(fèi)者提供一個(gè)新的選擇。

4．JAE推出USB4認(rèn)證的Type－C插座連接器

JAE發(fā)布了USB4（40Gbps）認(rèn)證的Type－C插座連接器（板上型）。本產(chǎn)品在保證傳統(tǒng)USB C型連接器的向后兼容性的同時(shí)，通過(guò)JAE的高速傳輸仿真技術(shù)，能嚴(yán)格滿足USB4規(guī)格下的例如信號(hào)質(zhì)量等方面高品質(zhì)規(guī)范。同時(shí)，取得USB4認(rèn)證的產(chǎn)品。