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今天，Intel發(fā)布了公司有史以來最詳細的制程工藝和封裝技術路線圖，展示了一系列底層技術創(chuàng)新。

除了公布其近十多年來首個全新晶體管架構(gòu)RibbonFET 和業(yè)界首個全新的背面電能傳輸網(wǎng)絡PowerVia之外，Intel還重點介紹了迅速采用下一代極紫外光刻（EUV）技術的計劃，即高數(shù)值孔徑（High－NA）EUV。

據(jù)悉，Intel有望率先獲得業(yè)界第一臺High－NA EUV光刻機。

Intel CEO帕特·基辛格表示，基于Intel在先進封裝領域毋庸置疑的領先性，我們正在加快制程工藝創(chuàng)新的路線圖，以確保到2025年制程性能再度領先業(yè)界。

Intel正利用我們無可比擬的持續(xù)創(chuàng)新的動力，實現(xiàn)從晶體管到系統(tǒng)層面的全面技術進步。在窮盡元素周期表之前，我們將堅持不懈地追尋摩爾定律的腳步，并持續(xù)利用硅的神奇力量不斷推進創(chuàng)新。

Intel技術專家詳述了以下路線圖，其中包含新的節(jié)點命名和實現(xiàn)每個制程節(jié)點的創(chuàng)新技術：

基于FinFET晶體管優(yōu)化，Intel 7與Intel 10nm SuperFin相比，每瓦性能將提升約10％－15％。2021年即將推出的Alder Lake客戶端產(chǎn)品將會采Intel 7工藝，之后是面向數(shù)據(jù)中心的Sapphire Rapids預計將于2022年第一季度投產(chǎn)。

Intel 4完全采用EUV光刻技術，可使用超短波長的光，刻印極微小的圖樣。憑借每瓦性能約20％的提升以及芯片面積的改進，Intel 4將在2022年下半年投產(chǎn)，并于2023年出貨，這些產(chǎn)品包括面向客戶端的Meteor Lake和面向數(shù)據(jù)中心的Granite Rapids。

Intel 3憑借FinFET的進一步優(yōu)化和在更多工序中增加對EUV使用，較之Intel 4將在每瓦性能上實現(xiàn)約18％的提升，在芯片面積上也會有額外改進。Intel 3將于2023年下半年開始用于相關產(chǎn)品生產(chǎn)。

Intel 20A將憑借RibbonFET和PowerVia兩大突破性技術開啟埃米時代。RibbonFET是Intel對Gate All Around晶體管的實現(xiàn)，它將成為公司自2011年率先推出FinFET以來的首個全新晶體管架構(gòu)。該技術加快了晶體管開關速度，同時實現(xiàn)與多鰭結(jié)構(gòu)相同的驅(qū)動電流，但占用的空間更小。

PowerVia是Intel獨有的、業(yè)界首個背面電能傳輸網(wǎng)絡，通過消除晶圓正面供電布線需求來優(yōu)化信號傳輸。Intel 20A預計將在2024年推出。Intel也很高興能在Intel 20A制程工藝技術上，與高通公司進行合作。

2025年及更遠的未來：從Intel 20A更進一步的Intel 18A節(jié)點也已在研發(fā)中，將于2025年初推出，它將對RibbonFET進行改進，在晶體管性能上實現(xiàn)又一次重大飛躍。

Intel還致力于定義、構(gòu)建和部署下一代High－NA EUV，有望率先獲得業(yè)界第一臺High－NA EUV光刻機。Intel正與ASML密切合作，確保這一行業(yè)突破性技術取得成功，超越當前一代EUV。

Intel高級副總裁兼技術開發(fā)總經(jīng)理Ann Kelleher博士表示：“Intel有著悠久的制程工藝基礎性創(chuàng)新的歷史，這些創(chuàng)新均驅(qū)動了行業(yè)的飛躍。我們引領了從90 nm應變硅向45 nm高K金屬柵極的過渡，并在22 nm時率先引入FinFET。憑借RibbonFET和PowerVia兩大開創(chuàng)性技術，Intel 20A將成為制程技術的另一個分水嶺。”

作者：朝暉來源：快科技