英諾賽科8英寸硅基氮化鎵晶圓正式進(jìn)入量產(chǎn)階段!
6月5日,英諾賽科(蘇州)半導(dǎo)體有限公司舉辦量產(chǎn)暨研發(fā)樓奠基儀式,宣布英諾賽科蘇州8英寸硅基氮化鎵研發(fā)生產(chǎn)基地正式進(jìn)入量產(chǎn)階段。該項(xiàng)目位于江蘇省蘇州市吳江區(qū)汾湖高新區(qū),一期投資80億元,用地213畝,按當(dāng)前計(jì)劃,到2021年底,產(chǎn)能可達(dá)6000片每月。項(xiàng)目全部達(dá)產(chǎn)后,預(yù)計(jì)將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)能78萬片8英寸硅基氮化鎵晶圓,年產(chǎn)值120億元,利稅15億元以上。
在量產(chǎn)儀式上,英諾賽科(蘇州)半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理孫在亨表示,蘇州8英寸硅基氮化鎵研發(fā)生產(chǎn)基地正式量產(chǎn)是英諾賽科的一個(gè)里程碑。自項(xiàng)目從2018年6月正式啟動(dòng)以來,過去三年英諾賽科爭分奪秒,奮力推進(jìn)項(xiàng)目建設(shè),在2019年8月主廠房封頂,于2020年9月開始設(shè)備搬入,到2021年6月就實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn),從設(shè)備搬入到開始量產(chǎn)僅用了8個(gè)半月時(shí)間,這是每一位英諾賽科人與合作伙伴的榮耀,也必將寫入第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展史。
孫在亨指出,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展70多年后,硅材料在功率和射頻方面的應(yīng)用潛能已經(jīng)被充分挖掘,難以大幅提高,以氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料適逢其會(huì),將引領(lǐng)未來十年半導(dǎo)體市場增長趨勢(shì)。該基地進(jìn)入量產(chǎn),標(biāo)志著這家全球氮化鎵產(chǎn)能規(guī)劃最大的企業(yè)為氮化鎵應(yīng)用時(shí)代的到來做好了準(zhǔn)備。
與硅材料相比,氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)等寬禁帶半導(dǎo)體材料也被稱為第三代半導(dǎo)體技術(shù)。與硅材料相比,寬禁帶半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度大、飽和電子漂移速度高、擊穿場強(qiáng)高等優(yōu)勢(shì)。因此,用寬禁帶半導(dǎo)體材料制作的器件具有耐高溫、耐高壓、損耗低、高頻特性好等特點(diǎn), 在功率與射頻應(yīng)用中具有極高潛力。
在量產(chǎn)儀式上,國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金總裁丁文武等先后發(fā)言,對(duì)英諾賽科在我國化合物半導(dǎo)體(即第三代半導(dǎo)體)產(chǎn)業(yè)發(fā)展中做出的成績予以肯定,也期許英諾賽科為我國氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展開創(chuàng)新局面,做出更大貢獻(xiàn)。
在此前一天舉行的硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展峰會(huì)上,英諾賽科市場與銷售副總裁顧怡祥在演進(jìn)中指出,英諾賽科是全球僅有的從低壓到高壓(30V-650V)全覆蓋的氮化鎵整合元件制造商。在快充適配器市場,已經(jīng)有超過60家客戶的量產(chǎn)產(chǎn)品采用英諾賽科器件,出貨量達(dá)到千萬級(jí);在激光雷達(dá)市場,超過5家廠商采用英諾賽科方案,出貨量達(dá)到百萬;在數(shù)據(jù)中心和手機(jī)應(yīng)用上,英諾賽科產(chǎn)品也進(jìn)入多家核心客戶方案中。
顧怡祥表示,氮化鎵市場正處于早期發(fā)展階段向大規(guī)模應(yīng)用跨越的關(guān)鍵期,英諾賽科的使命就是打通當(dāng)前技術(shù)普及面臨的種種障礙,跨越鴻溝,讓氮化鎵技術(shù)真正惠及社會(huì)民生。
在量產(chǎn)儀式同期,英諾賽科還舉辦了研發(fā)樓奠基儀式。據(jù)公開信息,作為被國家四部委(發(fā)改委、工信部、財(cái)政部、海關(guān)總署)列入重點(diǎn)支持的0.25微米以下的集成電路企業(yè),英諾賽科是國內(nèi)第一個(gè)通過國家發(fā)改委窗口指導(dǎo)的第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目;同時(shí),作為蘇州市獨(dú)角獸培育企業(yè),英諾賽科承擔(dān)了多個(gè)國家部委及省相關(guān)部門的重點(diǎn)研發(fā)項(xiàng)目。該研發(fā)樓建筑面積3.5萬平方米,共十層,高50米,將辦公、研發(fā)、餐廳三大功能融合在一起,研發(fā)樓建成投入使用以后,將為英諾賽科長期發(fā)展奠定良好基礎(chǔ)。
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