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10月8日訊，據(jù)媒體報(bào)道，中國目前使用的半導(dǎo)體僅16％在中國生產(chǎn)，當(dāng)中只有一半由中國企業(yè)制造，比例相當(dāng)?shù)�。按政府�?jì)劃，中國希望2020年生產(chǎn)40％自用半導(dǎo)體，2025年提高至70％，務(wù)求盡快擺脫美國制肘。

大部份中國芯片股自貿(mào)易戰(zhàn)開打以來，雖錄不同程度跌幅，但從上述角度考慮，行業(yè)長遠(yuǎn)受惠國策支持。其中，有約兩成收入來自華為的中芯國際，自中美爆貿(mào)戰(zhàn)以來一度下跌37％，但今年首九個月累升43％，已收復(fù)大部份貿(mào)易戰(zhàn)后導(dǎo)至的失地。

技術(shù)突破，幾乎成了近年來經(jīng)濟(jì)發(fā)展的主旋律。無論是5G技術(shù)、量子技術(shù)、半導(dǎo)體技術(shù)，還是IoT物聯(lián)網(wǎng)、金融科技創(chuàng)新……一大批尖端技術(shù)的突破，既為經(jīng)濟(jì)發(fā)展注入新的活力，也成為刺激資本市場上科技板塊股票上漲的重要因素。

恰如近段時間以來，由于“在先進(jìn)制程的研發(fā)快于預(yù)期構(gòu)成利好”，中芯國際（00981－HK）未來預(yù)期收入有望實(shí)現(xiàn)快速增長。而受此影響，中芯國際股價同樣呈現(xiàn)出持續(xù)上漲的態(tài)勢，并創(chuàng)下自2018年6月份以來的新高。

不僅如此，隨著未來的5G、智能手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)終端技術(shù)等領(lǐng)域的快速發(fā)展，相關(guān)行業(yè)對于高端芯片的需求量將會持續(xù)增加。提升國產(chǎn)芯片的自給率，其意義不言而喻。

事實(shí)上，在14nm逐漸步入量產(chǎn)，并著手推進(jìn)擴(kuò)大產(chǎn)能的同時，2019年二季度的企業(yè)財(cái)報(bào)中同時透露：第一代FinFET技術(shù)進(jìn)入風(fēng)險量產(chǎn)，第二代FinFET N＋1技術(shù)平臺也已經(jīng)開始進(jìn)入客戶導(dǎo)入，中芯國際將與客戶保持長遠(yuǎn)穩(wěn)健的合作關(guān)系。

持續(xù)引進(jìn)人才，技術(shù)創(chuàng)新，國產(chǎn)7nm芯片或?yàn)槠诓贿h(yuǎn)

而在此前，在中芯國際2019年一季度財(cái)報(bào)信息披露中，梁孟松博士就曾經(jīng)披露12nm已經(jīng)進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段，并表示更新一代FinFET工藝研發(fā)進(jìn)度喜人，相關(guān)研發(fā)進(jìn)程非常順利。

在12nm制程工藝后的新一代FinFET工藝研發(fā)？究竟是10nm，還是更高級別，當(dāng)下國際頂尖的7nm芯片先進(jìn)制程工藝？從研發(fā)進(jìn)度來看，中芯國際越過20nm等級，直接由28nm過渡到14nm，也不能排除從12nm直接躍進(jìn)到7nm的可能。

而另一件事情似乎可以佐證這種由12nm直接躍進(jìn)到7nm的猜想。根據(jù)中國產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)信息網(wǎng)披露，2018年年中，中芯國際耗資1．2億美元，向荷蘭ASML公司訂購了億臺EUV極紫外光刻機(jī)，而這種設(shè)備通常用來7nm級別先進(jìn)制程工藝的研發(fā)使用。

其實(shí)，無論新一代FinFET工藝研發(fā)級別是10nm，還是7nm，都是國內(nèi)芯片代工生產(chǎn)技術(shù)的突破，而翹首期盼的國產(chǎn)7nm越來越近，或已是為期不遠(yuǎn)。

自2000年中芯國際成立，到現(xiàn)如今14nm制程工藝的量產(chǎn)化，12nm制程工藝進(jìn)入到客戶導(dǎo)入階段，不到20年的時間，中芯國際從0到1，又不斷提升技術(shù)水平，可謂成績斐然。

值得注意的是，中芯國際14nm工藝的研發(fā)成功與企業(yè)近年來持續(xù)引進(jìn)人才密切相關(guān)。

2017年，有著豐富芯片制程工藝研發(fā)經(jīng)驗(yàn)的梁孟松加入中芯國際；2018年8月9日，梁孟松研發(fā)團(tuán)隊(duì)宣布14nm工藝取得重大突破。這距離梁孟松加入中心國際也不過是298天，換言之，不到300天的時間，中芯國際技術(shù)工藝完成了代差性的跨越。